YMIN tunnfilmskondensatorer kompletterar perfekt Infineons CoolSiC™ MOSFET G2
Infineons nya generation kiselkarbid CoolSiC™ MOSFET G2 är ledande inom innovationer inom strömhantering. YMIN-tunnfilmskondensatorer, med sin låga ESR-design, höga märkspänning, låga läckström, höga temperaturstabilitet och höga kapacitetstäthet, ger starkt stöd för denna produkt och bidrar till att uppnå hög effektivitet, hög prestanda och hög tillförlitlighet, vilket gör den till en ny lösning för effektomvandling i elektroniska enheter.
Funktioner och fördelar med YMINTunnfilmskondensatorer
Låg ESR:
YMINs tunnfilmskondensatorers låga ESR-design hanterar effektivt högfrekvent brus i nätaggregat, vilket kompletterar de låga omkopplingsförlusterna hos CoolSiC™ MOSFET G2.
Hög nominell spänning och lågt läckage:
YMIN-tunnfilmskondensatorernas höga märkspänning och låga läckströmsegenskaper förbättrar CoolSiC™ MOSFET G2s höga temperaturstabilitet, vilket ger robust stöd för systemstabilitet i tuffa miljöer.
Stabilitet vid hög temperatur:
Den höga temperaturstabiliteten hos YMIN-tunnfilmskondensatorer, i kombination med den överlägsna värmehanteringen hos CoolSiC™ MOSFET G2, förbättrar systemets tillförlitlighet och stabilitet ytterligare.
Hög kapacitetstäthet:
Den höga kapacitetstätheten hos tunnfilmskondensatorer ger större flexibilitet och utrymmesutnyttjande i systemdesign.
Slutsats
YMIN tunnfilmskondensatorer, som den ideala partnern för Infineons CoolSiC™ MOSFET G2, visar stor potential. Kombinationen av de två förbättrar systemets tillförlitlighet och prestanda, vilket ger bättre stöd för elektroniska enheter.
Publiceringstid: 27 maj 2024